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MLCC
Fábrica china de amplificadores de bajo ruido y alta ganancia en banda X | Proveedores confiables para la amplificación avanzada de señales
| Proceso | CMOS de 65 nm |
| Frecuencia de funcionamiento (GHz) | 8.5-11.5 |
| Ganancia (dB) a 10 GHz | 22.9 |
| Factor de ruido (dB) a 10 GHz | 2.8 |
| Consumo de energía (mW) | 49 |
| Área del núcleo (mm²) | 0,24 |
Este amplificador de bajo ruido (LNA) CMOS de 65 nm ofrece una alta ganancia de 22,9 dB y un bajo consumo de energía de 49 mW en un diseño ultracompacto de 0,24 mm². Gracias a su sensibilidad de señal superior y su eficiente integración, es la solución ideal para radares de matriz en fase de banda X, receptores de comunicación por satélite y sistemas inalámbricos de bajo costo.
Preguntas frecuentes
¿Cuál es el rango de frecuencia de funcionamiento de este LNA CMOS?
Este amplificador de bajo ruido (LNA) funciona en el rango de frecuencia de 8,5 a 11,5 GHz, lo que lo hace perfectamente adecuado para aplicaciones de banda X.
¿Qué proceso de fabricación se utiliza para este chip?
El chip se fabrica utilizando una tecnología de proceso CMOS estándar y rentable de 65 nm.
¿Cuáles son las métricas de rendimiento de ganancia y factor de ruido a 10 GHz?
A 10 GHz, este LNA ofrece una alta ganancia de 22,9 dB manteniendo un bajo nivel de ruido de 2,8 dB para garantizar una excelente sensibilidad de la señal.
¿Cuál es el consumo de energía y el área del núcleo del LNA?
El LNA cuenta con un núcleo ultracompacto de tan solo 0,24 mm² y funciona de manera eficiente con un bajo consumo de energía de 49 mW.
¿Cuáles son las principales aplicaciones a las que está dirigido este LNA?
Está altamente optimizado para radares de matriz en fase de banda X rentables, receptores de comunicación por satélite y sistemas inalámbricos de alto rendimiento.
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