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Amplificador de doble canal de alta potencia en banda Ka de proveedores y fábrica chinos para sistemas satelitales y de radar.
Descripción general del producto
Este amplificador de potencia de doble canal CMOS de 65 nm combina una alta integración con una ganancia de 25,8 dB en el rango de 35 a 41 GHz. Con un tamaño compacto de 0,3 mm² y una salida de 21,4 dBm, es ideal para terminales satelitales de banda Ka de alta densidad y rentables, así como para matrices de formación de haces 5G mmWave.
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Proceso | CMOS de 65 nm |
| Frecuencia de funcionamiento (GHz) | 35-41 |
| Ganancia (dB) a 10 GHz | 25.8 |
| Psat (dBm) a 38 GHz | 21.4 |
| OP1dB (dBm) a 38 GHz | 19.8 |
| PAEmax (%) a 38 GHz | 21.9 |
| Área del núcleo (mm²) | 0,3 |
Preguntas frecuentes
¿Qué proceso de fabricación de semiconductores se utiliza para este amplificador de potencia?
Este amplificador de potencia de doble canal se fabrica utilizando un proceso CMOS estándar de 65 nm, lo que permite una alta integración y una buena relación coste-eficacia.
¿Cuál es el rango de frecuencia de funcionamiento de este amplificador de potencia?
El rango de frecuencia de funcionamiento de este amplificador de potencia va de 35 GHz a 41 GHz, cubriendo los principales espectros de banda Ka y ondas milimétricas.
¿Cuáles son las capacidades de potencia de salida a 38 GHz?
A 38 GHz, el amplificador de potencia ofrece una potencia de salida saturada (Psat) de 21,4 dBm y un punto de compresión de salida de 1 dB (OP1dB) de 19,8 dBm.
¿Cuál es la eficiencia máxima de este dispositivo?
La eficiencia máxima de potencia añadida (PAEmax) que alcanza este dispositivo es del 21,9 % a una frecuencia de funcionamiento de 38 GHz.
¿Cuál es la extensión física de la zona central?
El núcleo de este amplificador de potencia de doble canal es muy compacto, con unas dimensiones de tan solo 0,3 mm², lo que resulta ideal para diseños de alta densidad.
¿Cuáles son las principales aplicaciones objetivo para este amplificador de potencia CMOS?
Está diseñado principalmente para terminales satelitales de banda Ka de alta densidad y matrices de formación de haces de ondas milimétricas (mmWave) 5G.
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