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Amplificador de potencia Doherty asimétrico en banda Ka de proveedores chinos: soluciones de fábrica de alta eficiencia para aplicaciones de RF.

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Amplificador de potencia Doherty asimétrico en banda Ka de proveedores chinos Diseñado para ofrecer una eficiencia excepcional y una linealidad robusta, este amplificador optimiza la distribución de potencia entre sus rutas de amplificación principal y auxiliar, lo que se traduce en mejoras significativas en la eficiencia de reducción de potencia y admite señales con una alta relación de potencia pico a promedio (PAPR). Fabricado en nuestra planta de vanguardia, este amplificador ofrece baja pérdida de inserción, ganancia superior y una estabilidad térmica excepcional. Es ideal para aplicaciones en comunicaciones por satélite, enlaces 5G/6G de ondas milimétricas, transmisores de antenas en fase y front-ends de RF de alto rendimiento. Gracias a su diseño vanguardista, este amplificador de potencia garantiza una potencia de salida superior, un consumo energético reducido y un rendimiento fiable a largo plazo en entornos exigentes.

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    Noticias destacadas

    Proceso CMOS de 65 nm
    Frecuencia de funcionamiento (GHz) 35-41
    Ganancia (dB) a 10 GHz 25
    Psat (dBm) a 38 GHz 23.3
    OP1dB (dBm) a 38 GHz 22.4
    PAEmax (%) a 38 GHz 28.2
    Área del núcleo (mm²) 0,26
    Descripción general del producto

    Con un tamaño compacto de 0,26 mm², este amplificador de potencia Doherty CMOS de 65 nm ofrece alta eficiencia (28,2 % PAE) y linealidad. Optimizado para 35-41 GHz, es ideal para aplicaciones rentables de ondas milimétricas 5G y antenas de fase satelitales.

    Preguntas frecuentes
    ¿Qué proceso de semiconductores se utiliza para este Doherty PA?
    Este amplificador de potencia se fabrica utilizando un proceso CMOS avanzado de 65 nm, que equilibra la rentabilidad con el rendimiento de alta frecuencia.
    ¿Cuál es el rango de frecuencia de funcionamiento de este amplificador?
    El dispositivo está optimizado para funcionar en el rango de frecuencia de 35 GHz a 41 GHz, lo que lo hace ideal para diseños de ondas milimétricas.
    ¿Cuáles son las capacidades de potencia de salida (Psat y OP1dB) a 38 GHz?
    A 38 GHz, la potencia de salida saturada (Psat) es de 23,3 dBm y el punto de compresión de 1 dB (OP1dB) es de 22,4 dBm.
    ¿Cuál es la eficiencia máxima de potencia añadida (PAEmax) de este chip?
    Este amplificador de potencia Doherty CMOS ofrece una alta eficiencia de potencia añadida máxima (PAEmax) del 28,2 % a 38 GHz.
    ¿Qué tan compacta es la zona central física del amplificador?
    El amplificador ocupa un espacio central ultracompacto de tan solo 0,26 mm², lo que permite una fácil integración en matrices de alta densidad.
    ¿Cuáles son las principales aplicaciones de este programa Doherty PA?
    Está diseñado para infraestructuras de comunicación 5G mmWave rentables y sistemas de antenas de matriz en fase por satélite.

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