Amplificador combinado de alta potencia de doble canal en banda Ka
| Proceso | CMOS de 65 nm |
| Frecuencia de funcionamiento (GHz) | 35-41 |
| Ganancia (dB) a 10 GHz | 25.8 |
| Psat(dBm) a 38 GHz | 21.4 |
| OP1dB (dBm) a 38 GHz | 19.8 |
| PAEmax (%) a 38 GHz | 21.9 |
| Área del núcleo (mm²) | 0,3 |
Este amplificador de potencia de doble canal CMOS de 65 nm combina una alta integración con una ganancia de 25,8 dB en el rango de 35 a 41 GHz. Con un tamaño compacto de 0,3 mm² y una salida de 21,4 dBm, es ideal para terminales satelitales de banda Ka de alta densidad y rentables, así como para matrices de formación de haces 5G mmWave.
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