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Amplificador combinado de alta potencia de doble canal en banda Ka

Amplificador combinado de alta potencia de doble canal en banda Ka Diseñado para sistemas avanzados de comunicación por microondas y ondas milimétricas que requieren alta potencia de salida, amplio ancho de banda y rendimiento estable, este amplificador cuenta con dos canales de amplificación independientes con arquitectura de combinación de potencia, lo que le confiere una mayor eficiencia de salida y una linealidad superior en toda la banda Ka. Integra redes de combinación de baja pérdida, dispositivos de potencia de alta fiabilidad y un diseño térmico optimizado para garantizar un funcionamiento estable a largo plazo. Es ideal para terminales de comunicación por satélite, sistemas de radar, antenas de matriz en fase y módulos frontales de RF de alta potencia, proporcionando un rendimiento robusto en entornos de comunicación exigentes.


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    Proceso CMOS de 65 nm
    Frecuencia de funcionamiento (GHz) 35-41
    Ganancia (dB) a 10 GHz 25.8
    Psat(dBm) a 38 GHz 21.4
    OP1dB (dBm) a 38 GHz 19.8
    PAEmax (%) a 38 GHz 21.9
    Área del núcleo (mm²) 0,3

    Este amplificador de potencia de doble canal CMOS de 65 nm combina una alta integración con una ganancia de 25,8 dB en el rango de 35 a 41 GHz. Con un tamaño compacto de 0,3 mm² y una salida de 21,4 dBm, es ideal para terminales satelitales de banda Ka de alta densidad y rentables, así como para matrices de formación de haces 5G mmWave.

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