Amplificador de banda X de alta ganancia y bajo ruido
| Proceso | CMOS de 65 nm |
| Frecuencia de funcionamiento (GHz) | 8.5-11.5 |
| Ganancia (dB) a 10 GHz | 22.9 |
| Factor de ruido (dB) a 10 GHz | 2.8 |
| Consumo de energía (mW) | 49 |
| Área del núcleo (mm²) | 0,24 |
Este amplificador de bajo ruido (LNA) CMOS de 65 nm ofrece una alta ganancia de 22,9 dB y un bajo consumo de energía de 49 mW en un diseño ultracompacto de 0,24 mm². Gracias a su sensibilidad de señal superior y su eficiente integración, es la solución ideal para radares de matriz en fase de banda X, receptores de comunicación por satélite y sistemas inalámbricos de bajo costo.
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